CVD
化学气相沉积
全套CVD反应器设计分析工具
通过模拟改善CVD设备的设计，以减少对原型开发的需求，并解答工程师提出的“假设”问题。 通过使用PHOENICS-CVD软件系统，工程师可以：
- 优化CVD反应器的设计
- 调整工艺参数以提高产量
- 在购买设备之前探索新工艺
- 排除流程和设备中由于不良操作造成的故障
特点
PHOENICS-CVD 是一款用于模拟各种CVD反应器行为的集成软件系统；其中涉及多组分气体中流体流动和热传递的建模，包括气相（均相）和表面（非均相）化学反应并结合等离子体效应。系统通过图形化、菜单驱动且面向对象的界面进行操作，并配有一个通用反应器设计库，为问题的设置和修改提供了便捷的途径。
PHOENICS-CVD 提供：
- 对稳态或瞬态（处理启动和关闭）行为的模拟
- 笛卡尔坐标、极坐标或贴体坐标网格
- 多组分扩散和气体特性（具有多种模式选项）
- 热扩散（具有多种选项）
- 气体和表面化学反应（具有内置选项，如需要可提供用户编码）
- 表面对表面的辐射
- 使用有效的漂移扩散模型进行等离子体建模
- 运输、热力学、材料学、光学及化学反应参数的数据文件
PHOENICS-CVD 被用于模拟:
- 单晶圆冷壁硅烷反应器
- 淋浴头反应器；钨沉积
- 等离子体增强硅沉积
- 12晶圆反应器；钨沉积
- 弗劳恩霍夫 IIS-B；稳态温度场/弗劳恩霍夫 IIS-B;
- 弗劳恩霍夫 IIS-B；瞬态温度场/弗劳恩霍夫 IIS-B;
- 热壁间歇式反应器中的氮化硅形成
- 单晶圆冷壁反应器中的钨沉积
- RTP反应器中的多晶硅生长
- 非晶硅的等离子体增强沉积
- 多晶硅单晶圆反应器工艺
- 氮化钛的金属有机沉积
- 商用反应器中的二氧化硅沉积。
验证
PHOENICS-CVD 已在许多CVD工艺中得到验证。PHOENICS-CVD的开发和实验验证被记录在20余份出版物中；如需获取出版物副本，请与我们联系。
